芯片制造工藝中的薄膜就是薄膜沉積，可以是半導體可以說金屬。

薄膜沉積是在半導體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料，比如絕緣化合物二氧化硅，半導體多晶硅、金屬銅等。薄膜沉積是半導體工藝三大核心步驟之一。集成電路薄膜沉積可分為物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)和外延。 PVD是指通過熱蒸發或者靶表面受到粒子轟擊時發生原子濺射等物理過程，多應用于金屬的沉積；CVD是指通過氣體混合的化學反應在硅片表面沉積薄膜的工藝，可應用于絕緣薄膜、多晶硅以及金屬膜層的沉積；外延是一種在硅片表面按照襯底晶向生長單晶薄膜的工藝。

芯片制造工藝中的薄膜指的是封裝行業。電子封裝產業。